eVoS LE 偏置波（bō）形發生器_北京91视频网科技有限公司

功率輸出係統

Advanced Energy 經（jīng）過現場驗證的 Precision Power™ 解決方案可在各種等離子電源應用中提供同（tóng）類產品最佳的控製和穩（wěn）定性（xìng）。我們（men）全麵的功率輸出技術 40 多年來不斷引領工藝（yì）創新，並將與我們的合作夥伴一起繼續推動技術（shù）向（xiàng）前發展。

功（gōng）率輸出係統

直（zhí）接控製襯底電壓和離子能的非對（duì）稱（chēng）偏置波（bō）形發生器

eVoS LE 偏置波形（xíng）發生器

eVoS™LE是一種非對稱偏置波形發生器，旨在實現對（duì）基於等離子體的（de）蝕刻和（hé）沉積工藝中（zhōng）晶（jīng）圓表麵電壓和由此產生的離子能量分布（IED）的直接控製。eVoS係統由（yóu）雙向電壓電源與獨立電流源相結合，以建立和控製晶圓表麵電位。eVoS的非對稱輸出消除了（le）正弦射頻偏置應（yīng）用所固有的晶圓（yuán）偏置（zhì）的限製（zhì）和限製。快速數字計量和新的（de）控製（zhì）算法使（shǐ）生產（chǎn）接近單能量的IED成為可能。使（shǐ）用附加參數來（lái）定製晶圓表麵電壓的（de）平均和時變方麵以及由此產生的離子能量分布。

特點規格技術文檔（dàng）

特點

產生接近單能離子能量分布的能力
具有同步（bù）所需輸（shū）入（rù）和輸出信號的脈衝能力
集成設計和緊湊的尺寸消除了對匹配網絡的需求
高速計量提供實時（shí）偏置電壓（yā）和離子（zǐ）電流反饋
窄、寬和多峰（fēng）值分布
適用於標準腔室接口
實現對晶片偏置電壓（yā）和由此（cǐ）產生的離子能量的直接（jiē）控製
與RF偏置方法（fǎ）相比，增益增強的離子能量選擇/辨（biàn）別
顯著提高蝕刻選擇（zé）性，實現更短的工藝和更直、更深的特征
通過使用（yòng）“正確的功率”來減少功率，隻提（tí）供有用的（de）離子能（néng）量
簡（jiǎn）化偏置功率集（jí）成

規格

技術文檔

eVos LE Data Sheet