Advanced Energy 經過現場驗證的（de） Precision Power™ 解決方案可（kě）在各種等離子電源應用（yòng）中提（tí）供同類產品最佳的控製和穩定性。我們（men）全麵的功率輸出技術 40 多年來不斷引領工藝創新，並將與我們的合作夥伴一起繼續推動技術（shù）向前發展（zhǎn）。
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eVoS™ME非對稱偏置波形發生（shēng）器旨在實現對基於等離子體（tǐ）的蝕刻和沉積（jī）工藝中（zhōng）的晶圓-表麵電壓和由此產生的離子能量分（fèn）布（IED）的直接控製。 eVoS係統包括敏捷高壓電源與創新的非對稱波形產生技術相結（jié）合，以建立和控製晶（jīng）圓表（biǎo）麵（miàn）電位。 eVoS的非對稱輸出消（xiāo）除了正弦射頻偏置應用中固有的（de）晶圓偏置的限製（zhì）和限製。 快速數字計量和新穎的控製算法使生產（chǎn）接近單能量的IED成為可（kě）能。
縮小芯片尺（chǐ）寸和高縱橫比結構需要對離子能量進行嚴（yán）格控製。
通過eVoS™平台，AE引入了偏置技術的範式轉變（biàn）。
通過最大限（xiàn）度地提高定製離子能量的能力，eVoS能夠在非常小的尺寸上精確地控製蝕刻和沉積幾何形狀（zhuàng）。
晶片表（biǎo）麵電壓和離子能量分布（IED）的直接控製使工藝工程師能（néng）夠針對特定的工藝結果優化偏置性能，確保敏感特征的形成。
此外，與替代技（jì）術相（xiàng）比，快速數字計量和新穎的控製算法（fǎ）能夠生產更窄的IED。
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